casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSL606SNH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSL606SNH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSL606SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
BSL606SNH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 15µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 657pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSOP-6-6 |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL606SNH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSL606SNH6327XTSA1-FT |
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-GE3
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SI2305ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-GE3
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SI2308CDS-T1-GE3
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SI2308DS-T1-E3
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