casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSL373SNH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSL373SNH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSL373SNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSL373SNH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 218µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSOP-6-6 |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL373SNH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSL373SNH6327XTSA1-FT |
SI2303BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2305DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel