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Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1

Name: BSG0813NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0813NDIATMA1
Price: 0.81544 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (211 reviews)

Número da peça MFG: BSG0813NDIATMA1

Quantidade disponível: 56460 Peças

Preço de referência: USD 0.81544

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: - MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSG0813NDIATMA1.pdf

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BSG0813NDIATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSG0813NDIATMA1
Número da peça futura	FT-BSG0813NDIATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
BSG0813NDIATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	19A, 33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 12V
Potência - Max	2.5W
Temperatura de operação	-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TISON-8
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSG0813NDIATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSG0813NDIATMA1-FT

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