casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / BSG0811NDATMA1
Número da peça de fabricante | BSG0811NDATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSG0811NDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSG0811NDATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Recurso FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 19A, 41A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 12V |
Potência - Max | 2.5W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TISON-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSG0811NDATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSG0811NDATMA1-FT |
IRF7314PBF
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IRF7314QTRPBF
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IRF7317PBF
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XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
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5AGXMB7G4F35C5N
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