casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC160N10NS3GATMA1
Número da peça de fabricante | BSC160N10NS3GATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC160N10NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC160N10NS3GATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Ta), 42A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC160N10NS3GATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC160N10NS3GATMA1-FT |
IRF7811
Infineon Technologies
IRF7811A
Infineon Technologies
IRF7811APBF
Infineon Technologies
IRF7811ATR
Infineon Technologies
IRF7811ATRPBF
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRF7811AVTRPBF
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IRF7811TR
Infineon Technologies
IRF7811WGTRPBF
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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