casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / BRL1608T6R8M
Número da peça de fabricante | BRL1608T6R8M |
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Número da peça futura | FT-BRL1608T6R8M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | BR, L Type |
BRL1608T6R8M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 6.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 250mA |
Atual - saturação | 200mA |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2.132 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 100MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.70mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRL1608T6R8M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BRL1608T6R8M-FT |
BRL3225TR51M
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
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