casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / BR5010W-G
Número da peça de fabricante | BR5010W-G |
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Número da peça futura | FT-BR5010W-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BR5010W-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Square, BR-W |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | BR-W |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR5010W-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BR5010W-G-FT |
678-6
Microsemi Corporation
679-1
Microsemi Corporation
679-2
Microsemi Corporation
679-4
Microsemi Corporation
679-5
Microsemi Corporation
679-6
Microsemi Corporation
680-1
Microsemi Corporation
680-2
Microsemi Corporation
680-3
Microsemi Corporation
680-4
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel