casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / BR5010W-G
Número da peça de fabricante | BR5010W-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-BR5010W-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BR5010W-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Square, BR-W |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | BR-W |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR5010W-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BR5010W-G-FT |
678-6
Microsemi Corporation
679-1
Microsemi Corporation
679-2
Microsemi Corporation
679-4
Microsemi Corporation
679-5
Microsemi Corporation
679-6
Microsemi Corporation
680-1
Microsemi Corporation
680-2
Microsemi Corporation
680-3
Microsemi Corporation
680-4
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C2N
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
XC7A200T-1SBG484I
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel