casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / BR25S640FJ-WE2
Número da peça de fabricante | BR25S640FJ-WE2 |
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Número da peça futura | FT-BR25S640FJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BR25S640FJ-WE2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 64Kb (8K x 8) |
Freqüência do relógio | 20MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP-J |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S640FJ-WE2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BR25S640FJ-WE2-FT |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel