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Número da peça de fabricante | BR24C01-RMN6TP |
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Número da peça futura | FT-BR24C01-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BR24C01-RMN6TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 1Kb (128 x 8) |
Freqüência do relógio | 100kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24C01-RMN6TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BR24C01-RMN6TP-FT |
GD25Q64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel