casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / BR1010W-G
Número da peça de fabricante | BR1010W-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-BR1010W-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BR1010W-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Square, BR-W |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | BR-W |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR1010W-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BR1010W-G-FT |
60MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
60MT140KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
60MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
60MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
678-1
Microsemi Corporation
678-2
Microsemi Corporation
678-4
Microsemi Corporation
678-5
Microsemi Corporation
678-6
Microsemi Corporation
679-1
Microsemi Corporation
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel