casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / BQ4014YMB-120
Número da peça de fabricante | BQ4014YMB-120 |
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Número da peça futura | FT-BQ4014YMB-120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BQ4014YMB-120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 2Mb (256K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 120ns |
Tempo de acesso | 120ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4014YMB-120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BQ4014YMB-120-FT |
W632GG6KB12J
Winbond Electronics
W632GG6KB15I
Winbond Electronics
W632GG6KB15I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB15J
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W632GU6KB-11
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W632GU6KB-12
Winbond Electronics
W632GU6KB-12 TR
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W632GU6KB-15
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W632GU6KB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6KB11I
Winbond Electronics
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel