casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / BQ4010MA-85
Número da peça de fabricante | BQ4010MA-85 |
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Número da peça futura | FT-BQ4010MA-85 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BQ4010MA-85 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 64Kb (8K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 85ns |
Tempo de acesso | 85ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010MA-85 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BQ4010MA-85-FT |
W632GU6KB12I
Winbond Electronics
W632GU6KB12I TR
Winbond Electronics
W632GU6KB12J
Winbond Electronics
W632GU6KB15I
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W632GU6KB15I TR
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W631GG6MB-11 TR
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W631GG6MB-12
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W632GG6MB-12
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W631GG6MB-11
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W631GG6MB-15
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A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
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LCMXO2280C-4T100C
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5SGSED8K3F40I4N
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10AX115H3F34E2SG
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