casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotodiodos / BP 104 F
Número da peça de fabricante | BP 104 F |
---|---|
Número da peça futura | FT-BP 104 F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BP 104 F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Comprimento de onda | 950nm |
Cor - Aprimorado | - |
Faixa espectral | 800nm ~ 1100nm |
Tipo de Diodo | PIN |
Responsividade @ nm | - |
Tempo de resposta | 20ns |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Escuro (Tipo) | 2nA |
Área ativa | 4.84mm² |
Ângulo de visão | 120° |
Temperatura de operação | -40°C ~ 100°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial - 2 Leads |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BP 104 F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BP 104 F-FT |
PDB-C601-1-25
Advanced Photonix
PDB-V601-1
Advanced Photonix
PDB-V443.6
Advanced Photonix
PDB-V114
Advanced Photonix
PDB-V110
Advanced Photonix
PDB-V104
Advanced Photonix
PDB-C615-2
Advanced Photonix
PDB-C613-2
Advanced Photonix
PDB-C612-2
Advanced Photonix
PDB-C609-2
Advanced Photonix
XC7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8
Intel
5SGXMA5N3F40I3LN
Intel
EP3SL340F1517I4L
Intel
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN672E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3N
Intel
5SGSMD4H3F35I3LN
Intel