casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFY193PZZZA1
Número da peça de fabricante | BFY193PZZZA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BFY193PZZZA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFY193PZZZA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 7.5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
Ganho | 12.5dB ~ 13.5dB |
Potência - Max | 580mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80mA |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | MICRO-X1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MICRO-X1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFY193PZZZA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFY193PZZZA1-FT |
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
Microsemi Corporation
42106HS
Microsemi Corporation
42107HS
Microsemi Corporation
42108HS
Microsemi Corporation
42126
Microsemi Corporation
44010
Microsemi Corporation
44022H
Microsemi Corporation
44086H
Microsemi Corporation
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K600EFC672-2N
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
5SGXEA7N3F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4
Intel
5SGXEA5N2F45C1N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation