casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFU710F,115
Número da peça de fabricante | BFU710F,115 |
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Número da peça futura | FT-BFU710F,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFU710F,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 2.8V |
Freqüência - Transição | 43GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
Ganho | - |
Potência - Max | 136mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 2V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 10mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-343F |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DFP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU710F,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFU710F,115-FT |
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5087YTE85LF
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LM3046M
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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EP20K100EQC240-2
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