casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFU660F,115
Número da peça de fabricante | BFU660F,115 |
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Número da peça futura | FT-BFU660F,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFU660F,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5.5V |
Freqüência - Transição | 21GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
Ganho | 12dB ~ 21dB |
Potência - Max | 225mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 10mA, 2V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-343F |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-DFP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU660F,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFU660F,115-FT |
2SC5087R(TE85L,F)
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