casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFS 466L6 E6327
Número da peça de fabricante | BFS 466L6 E6327 |
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Número da peça futura | FT-BFS 466L6 E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFS 466L6 E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 5V, 9V |
Freqüência - Transição | 22GHz, 14GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
Ganho | 12dB ~ 17dB |
Potência - Max | 200mW, 210mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA, 35mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSLP-6-1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFS 466L6 E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFS 466L6 E6327-FT |
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
40033
Microsemi Corporation
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
Microsemi Corporation
42106HS
Microsemi Corporation
42107HS
Microsemi Corporation
42108HS
Microsemi Corporation
42126
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44010
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
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XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
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5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel