casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFR360FH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BFR360FH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BFR360FH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFR360FH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 9V |
Freqüência - Transição | 14GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1dB @ 1.8GHz |
Ganho | 15.5dB |
Potência - Max | 210mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 15mA, 3V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-723 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSFP-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR360FH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFR360FH6327XTSA1-FT |
BFT92W,115
NXP USA Inc.
BFT93W,115
NXP USA Inc.
PRF947,115
NXP USA Inc.
PRF957,115
NXP USA Inc.
BFR505T,115
NXP USA Inc.
BFR520T,115
NXP USA Inc.
PRF949,115
NXP USA Inc.
BFU730LXZ
NXP USA Inc.
BFT25A,215
NXP USA Inc.
BFU550AR
NXP USA Inc.
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel