casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFR193E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BFR193E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BFR193E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFR193E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 12V |
Freqüência - Transição | 8GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Ganho | 10dB ~ 15dB |
Potência - Max | 580mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80mA |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR193E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFR193E6327HTSA1-FT |
BFP843H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP182WH6327XTSA1
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EP3C80F780C7N
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