casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BFN27E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BFN27E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BFN27E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BFN27E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 300V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
Potência - Max | 360mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFN27E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BFN27E6327HTSA1-FT |
BC857CB5003XT
Infineon Technologies
BC857CE6433HTMA1
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BC858BE6433HTMA1
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BC858CE6327HTSA1
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