casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BF199_J35Z
Número da peça de fabricante | BF199_J35Z |
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Número da peça futura | FT-BF199_J35Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BF199_J35Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 1.1GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 350mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 38 @ 7mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BF199_J35Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BF199_J35Z-FT |
CPH6003A-TL-E
ON Semiconductor
CPH6001A-TL-E
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2N3663
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A54SX32A-1TQ144M
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XC3S4000-5FGG900C
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M1A3PE1500-2PQ208
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EP4CE22F17A7N
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5SEE9F45C2L
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5SGXMA7K3F35I4N
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A54SX08A-FFGG144
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LFE2M35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation