casa / produtos / Resistores / Resistores de Montagem em Chassi / BDS4E100150R0J
Número da peça de fabricante | BDS4E100150R0J |
---|---|
Número da peça futura | FT-BDS4E100150R0J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | BDS, CGS |
BDS4E100150R0J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 150 Ohms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 100W |
Composição | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Características | RF, High Frequency |
Revestimento, tipo de alojamento | Epoxy Coated |
Recurso de montagem | Flanges |
Tamanho / dimensão | 1.496" Dia x 1.004" L (38.00mm x 25.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.827" (21.00mm) |
Estilo de chumbo | M4 Threaded |
Pacote / caso | SOT-227-4 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS4E100150R0J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BDS4E100150R0J-FT |
MOX-J-021003FE
Ohmite
MOX-J-021004FE
Ohmite
MOX-J-021005FE
Ohmite
MOX-J-021006FE
Ohmite
MOX-J-022506FE
Ohmite
TE1500B33RJ
TE Connectivity Passive Product
TE300B100RJ
TE Connectivity Passive Product
BDS2A40016RJ
TE Connectivity Passive Product
CJT10001K5JJ
TE Connectivity Passive Product
CJT10001R0JJ
TE Connectivity Passive Product
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-1N
Intel
5SGTMC7K3F40I2N
Intel
5SGXEABN2F45C2L
Intel
5SGXEB9R2H43C3N
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFEC10E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K20RC240-4N
Intel