casa / produtos / Resistores / Resistores de Montagem em Chassi / BDS2A60030RJ
Número da peça de fabricante | BDS2A60030RJ |
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Número da peça futura | FT-BDS2A60030RJ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | BDS, CGS |
BDS2A60030RJ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 30 Ohms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 600W |
Composição | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 140°C |
Características | RF, High Frequency |
Revestimento, tipo de alojamento | Epoxy Coated |
Recurso de montagem | Flanges |
Tamanho / dimensão | 2.559" L x 2.362" W (65.00mm x 60.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.417" (36.00mm) |
Estilo de chumbo | M4 Threaded |
Pacote / caso | Box |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A60030RJ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BDS2A60030RJ-FT |
TGHPV1K00KE
Ohmite
TGHPV1R00KE
Ohmite
TGHPV250RKE
Ohmite
TGHPV27R0KE
Ohmite
TGHPV470RKE
Ohmite
TGHPV50R0KE
Ohmite
TGHPV5R00KE
Ohmite
TGHPV68R0KE
Ohmite
TGHPV750RKE
Ohmite
TGHPV7R50KE
Ohmite
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
EP4S100G5F45I2N
Intel
EP4SE530F43I4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31I5N
Intel