casa / produtos / Resistores / Resistores de Montagem em Chassi / BDS2A1001M0J
Número da peça de fabricante | BDS2A1001M0J |
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Número da peça futura | FT-BDS2A1001M0J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | BDS, CGS |
BDS2A1001M0J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 MOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 100W |
Composição | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Características | RF, High Frequency |
Revestimento, tipo de alojamento | Epoxy Coated |
Recurso de montagem | Flanges |
Tamanho / dimensão | 1.496" L x 1.004" W (38.00mm x 25.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.827" (21.00mm) |
Estilo de chumbo | M4 Threaded |
Pacote / caso | SOT-227-2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1001M0J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BDS2A1001M0J-FT |
RSW-10-50
Riedon
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25T-2FG484C
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP2S30F484C4N
Intel
XC5VSX35T-1FF665I
Xilinx Inc.
XC7VX980T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3
Intel