casa / produtos / Resistores / Resistores de Montagem em Chassi / BDS2A1001M0J
Número da peça de fabricante | BDS2A1001M0J |
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Número da peça futura | FT-BDS2A1001M0J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | BDS, CGS |
BDS2A1001M0J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 MOhms |
Tolerância | ±5% |
Potência (Watts) | 100W |
Composição | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Características | RF, High Frequency |
Revestimento, tipo de alojamento | Epoxy Coated |
Recurso de montagem | Flanges |
Tamanho / dimensão | 1.496" L x 1.004" W (38.00mm x 25.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.827" (21.00mm) |
Estilo de chumbo | M4 Threaded |
Pacote / caso | SOT-227-2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1001M0J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BDS2A1001M0J-FT |
RSW-10-50
Riedon
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XCS20XL-4PQG208C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF40C4
Intel
AGL250V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF8820AQC160-4
Intel