casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BD810G
Número da peça de fabricante | BD810G |
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Número da peça futura | FT-BD810G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BD810G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 10A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.1V @ 300mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 4A, 2V |
Potência - Max | 90W |
Freqüência - Transição | 1.5MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD810G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BD810G-FT |
2SB1123T-TD-E
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