casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / PMIC - Drivers de Gate / BD6562FV-LBE2
Número da peça de fabricante | BD6562FV-LBE2 |
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Número da peça futura | FT-BD6562FV-LBE2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BD6562FV-LBE2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração Dirigida | Low-Side |
Tipo de canal | Independent |
Número de Drivers | 2 |
Tipo de portão | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Tensão - fonte | 10V ~ 25V |
Tensão Lógica - VIL, VIH | - |
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador) | 600mA, 600mA |
Tipo de entrada | Non-Inverting |
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap) | - |
Tempo de subida / queda (Typ) | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-SSOPB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD6562FV-LBE2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BD6562FV-LBE2-FT |
SI9978DW-E3
Vishay Siliconix
SI9978DW-T1-E3
Vishay Siliconix
UBA2032T/N2,118
NXP USA Inc.
RT9629AZQW
Richtek USA Inc.
RT9629BZQW
Richtek USA Inc.
SC1214TSTRT
Semtech Corporation
IR1175S
Infineon Technologies
IR1175STR
Infineon Technologies
IR1176S
Infineon Technologies
IR1176STR
Infineon Technologies
A1010B-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
5SGXMB5R2F43C2N
Intel
M1A3P1000-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3LG
Intel
EP2AGX125EF29C6ES
Intel
EP3SL110F780C4
Intel