casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BD139-10
Número da peça de fabricante | BD139-10 |
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Número da peça futura | FT-BD139-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BD139-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-32 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD139-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BD139-10-FT |
BC338-16 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC338-25 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC338-40 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC546A B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC546B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC546C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC547C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC548A B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC548B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BC548C B1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel