casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BCX42E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BCX42E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BCX42E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCX42E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 800mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 125V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
Potência - Max | 330mW |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCX42E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCX42E6327HTSA1-FT |
TTC009,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
TTC009,F(M
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