casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BCW 66H B6327
Número da peça de fabricante | BCW 66H B6327 |
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Número da peça futura | FT-BCW 66H B6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCW 66H B6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 800mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 20nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potência - Max | 330mW |
Freqüência - Transição | 170MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW 66H B6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCW 66H B6327-FT |
BC 850BF E6327
Infineon Technologies
BC 850C B5003
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LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
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M1A3P1000-2FGG484
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LFE5UM-85F-7BG554I
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EP20K600EFC672-3
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5SGSED8K3F40C2LN
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EP3SE80F1152I3
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EPF10K200SBC356-1X
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