casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BCW66GLT1G
Número da peça de fabricante | BCW66GLT1G |
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Número da peça futura | FT-BCW66GLT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCW66GLT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 800mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 20nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW66GLT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCW66GLT1G-FT |
2N6043
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2N6045
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XC3S1000-4FGG320I
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XCV600E-7FG676C
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A3PN250-1VQG100
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5SGXEA7K1F40I2N
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XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel