casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR 103L3 E6327
Número da peça de fabricante | BCR 103L3 E6327 |
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Número da peça futura | FT-BCR 103L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR 103L3 E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 20mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 140MHz |
Potência - Max | 250mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSLP-3-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 103L3 E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR 103L3 E6327-FT |
PDTC123JE,115
NXP USA Inc.
PDTC123TE,115
NXP USA Inc.
PDTC123YE,115
NXP USA Inc.
PDTC124EE,115
NXP USA Inc.
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.
PDTC124XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143EE,115
NXP USA Inc.
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.