casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / BC857BS,135
Número da peça de fabricante | BC857BS,135 |
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Número da peça futura | FT-BC857BS,135 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BC857BS,135 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857BS,135 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC857BS,135-FT |
ULN2004AINSRG4
Texas Instruments
ULN2003AINSR
Texas Instruments
ULN2003ANSR
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ULN2003ANSRG4
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ULN2004AINS
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STA401A
Sanken
A3PE3000-2FGG484I
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5SGXEA5N2F45C3N
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Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
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EPF10K200SBI356-2
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