casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC850BE6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BC850BE6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BC850BE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC850BE6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 330mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC850BE6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC850BE6327HTSA1-FT |
2SD0814ASL
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M1A3P600-1FG256I
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A40MX02-3PLG68
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XC4013XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP3CLS100U484I7N
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5SGXEA7K3F40C2
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XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2BG332I
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