casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC849CE6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BC849CE6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BC849CE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC849CE6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 330mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC849CE6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC849CE6327HTSA1-FT |
2SD0602ARL
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2SD0602ASL
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A3P1000-2PQG208
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5SGXEA5N2F45C2LN
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5SGXMABK3H40C2LN
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EP3SL200F1152I4N
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XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
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10AX057H2F34E1SG
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