casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / BC847QASZ
Número da peça de fabricante | BC847QASZ |
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Número da peça futura | FT-BC847QASZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BC847QASZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847QASZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC847QASZ-FT |
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor
SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
SMBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor
NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S1500L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I3N
Intel
5SGXEA7K2F35I3L
Intel
AX500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP2S90F1508I4
Intel
EP2C20Q240C8
Intel