casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / BC847QASZ
Número da peça de fabricante | BC847QASZ |
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Número da peça futura | FT-BC847QASZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BC847QASZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 350mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847QASZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC847QASZ-FT |
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor
SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
SMBT3904DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor
NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor
XC3SD3400A-5CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XCV150-5FG256C
Xilinx Inc.
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB5R2F40I2L
Intel
10AX090H3F34E2SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EP2A40F1020C7
Intel