casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC637_J35Z
Número da peça de fabricante | BC637_J35Z |
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Número da peça futura | FT-BC637_J35Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC637_J35Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC637_J35Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC637_J35Z-FT |
BC548CZL1G
ON Semiconductor
BC548C_J35Z
ON Semiconductor
BC548TA
ON Semiconductor
BC548TAR
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BC548TF
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BC549ATA
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BC549BTAR
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XC3S2000-5FGG900C
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XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
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M2GL025-1FCSG325
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P600-1FGG484
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A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
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EP20K400BC652-1
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EP2S180F1020I4
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