casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC517_J35Z
Número da peça de fabricante | BC517_J35Z |
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Número da peça futura | FT-BC517_J35Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC517_J35Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30000 @ 20mA, 2V |
Potência - Max | 625mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC517_J35Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC517_J35Z-FT |
BC327-25RL1G
ON Semiconductor
BC327-25ZL1
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BC327-25ZL1G
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BC32725TAR
ON Semiconductor
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
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10AX032E3F27I2LG
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10AX048E4F29I3SG
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