casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC212L_J35Z
Número da peça de fabricante | BC212L_J35Z |
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Número da peça futura | FT-BC212L_J35Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC212L_J35Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 300mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 625mW |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC212L_J35Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC212L_J35Z-FT |
2N5551CYTA
ON Semiconductor
2N5551RL1
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2N5551RL1G
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M1A3P400-FG484
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5SGSMD8K3F40C4N
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XCV100-4BG256C
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XC7A200T-L1FBG484I
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5AGXMA1D4F31I3N
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