casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor / BBY 66-02V E6327
Número da peça de fabricante | BBY 66-02V E6327 |
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Número da peça futura | FT-BBY 66-02V E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BBY 66-02V E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Capacitância @ Vr, F | 13.5pF @ 4.5V, 1MHz |
Relação de Capacitância | 5.41 |
Condição de Relação de Capacitância | C1/C4.5 |
Tensão - pico reverso (máximo) | 12V |
Tipo de Diodo | Single |
Q @ Vr, F | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SC79-2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY 66-02V E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BBY 66-02V E6327-FT |
BB178,335
NXP USA Inc.
BB179,115
NXP USA Inc.
BB179,135
NXP USA Inc.
BB179,315
NXP USA Inc.
BB179,335
NXP USA Inc.
BB179B,115
NXP USA Inc.
BB179B,135
NXP USA Inc.
BB179B,315
NXP USA Inc.
BB179B,335
NXP USA Inc.
BB182,115
NXP USA Inc.
XC4028XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
AX250-1FG484M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C4
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LFXP2-30E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I3SGES
Intel
EP4SGX230FF35I3
Intel