casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor / BB837E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BB837E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BB837E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BB837E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Capacitância @ Vr, F | 0.52pF @ 28V, 1MHz |
Relação de Capacitância | 12 |
Condição de Relação de Capacitância | C1/C25 |
Tensão - pico reverso (máximo) | 30V |
Tipo de Diodo | Single |
Q @ Vr, F | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOD323-2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB837E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BB837E6327HTSA1-FT |
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
A3P125-1TQG144I
Microsemi Corporation
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP1S20B672C7N
Intel
EP4SE530H40C3ES
Intel
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F1020C7N
Intel