Número da peça de fabricante | BAY80 |
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Número da peça futura | FT-BAY80 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAY80 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 150mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 60ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 120V |
Capacitância @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAY80 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAY80-FT |
BAV21
ON Semiconductor
BAW62
ON Semiconductor
1N459ATR
ON Semiconductor
1N3064
ON Semiconductor
1N3064TR
ON Semiconductor
1N3064_T50R
ON Semiconductor
1N3070
ON Semiconductor
1N3070_T50R
ON Semiconductor
1N4149_T50R
ON Semiconductor
1N4150
ON Semiconductor
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
Intel