Número da peça de fabricante | BAY72 |
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Número da peça futura | FT-BAY72 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAY72 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAY72 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAY72-FT |
FDH3595
ON Semiconductor
1N457A
ON Semiconductor
BAW76
ON Semiconductor
FJH1100
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1N3064
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1N3064TR
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1N3064_T50R
ON Semiconductor
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
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XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
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EP1S80B956C6N
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EP4SGX180HF35C4
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