casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAW56-7-F
Número da peça de fabricante | BAW56-7-F |
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Número da peça futura | FT-BAW56-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAW56-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAW56-7-F-FT |
20CJQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT74,215
Nexperia USA Inc.
BAV23-7
Diodes Incorporated
DB4X313K0R
Panasonic Electronic Components
BAS28-7
Diodes Incorporated
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.
BAV23,215
Nexperia USA Inc.
BAS4007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS7007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS28,215
Nexperia USA Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel