casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAV99QAZ
Número da peça de fabricante | BAV99QAZ |
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Número da peça futura | FT-BAV99QAZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAV99QAZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 170mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010D-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99QAZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAV99QAZ-FT |
NRVBBS20100CTT4G
ON Semiconductor
SBRB1545CTG
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MBRB3030CTL
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LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
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XC2S150-5PQ208C
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M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
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XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
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EP4SGX530HH35C2N
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