casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAV23CLT1G
Número da peça de fabricante | BAV23CLT1G |
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Número da peça futura | FT-BAV23CLT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAV23CLT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 400mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV23CLT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAV23CLT1G-FT |
BYV32-200G
ON Semiconductor
MBR60L45CTG
ON Semiconductor
MBR2535CTG
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MBR20H150CTG
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NTST30120CTG
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MBR16100CTG
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NTST60100CTG
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Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP2C35F484I8
Intel
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5SGXEA4H2F35I3L
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LCMXO2-4000ZE-1MG132C
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EP20K100EQC208-1
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