casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAV21WS-G3-18
Número da peça de fabricante | BAV21WS-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-BAV21WS-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAV21WS-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 250mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21WS-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAV21WS-G3-18-FT |
VS-SD300C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C25C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C28C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel