casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAV21W-G RHG
Número da peça de fabricante | BAV21W-G RHG |
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Número da peça futura | FT-BAV21W-G RHG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAV21W-G RHG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21W-G RHG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAV21W-G RHG-FT |
SS115HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel