casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAV199DW-TP
Número da peça de fabricante | BAV199DW-TP |
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Número da peça futura | FT-BAV199DW-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAV199DW-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 160mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 3µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV199DW-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAV199DW-TP-FT |
BAS40-05V,115
Nexperia USA Inc.
BAT54VV,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3002TV,115
Nexperia USA Inc.
BAT54CV,115
Nexperia USA Inc.
BAS40-07V,115
Nexperia USA Inc.
1PS66SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07V,115
Nexperia USA Inc.
BAT74V,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6002TV,115
Nexperia USA Inc.
BAV70M,315
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel