casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAV102-TP
Número da peça de fabricante | BAV102-TP |
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Número da peça futura | FT-BAV102-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAV102-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacitância @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini MELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV102-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAV102-TP-FT |
1N6642U
Microsemi Corporation
1N6628US
Microsemi Corporation
1N6627US
Microsemi Corporation
1N6626US
Microsemi Corporation
1N6625US
Microsemi Corporation
1N6536
Microsemi Corporation
1N5814
Microsemi Corporation
1N5812
Microsemi Corporation
1N5811TR
Microsemi Corporation
1N5806US
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel