casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAV102-GS08
Número da peça de fabricante | BAV102-GS08 |
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Número da peça futura | FT-BAV102-GS08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAV102-GS08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 250mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacitância @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV102-GS08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAV102-GS08-FT |
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation